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[비환급] DRAM 구조와 동작 원리
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[비환급] DRAM 구조와 동작 원리 과정정보
수료기준 진도율 , 총점 60점 이상 수료기준 보기
NCS분류
수강기간 30일
강의구성 16차시
훈련비 51,000원
훈련비0원
정부지원금0원
총 결제금액0원
과정소개

DRAM의 구조와 동작 원리를 알아보는 과정

학습목표 1. DRAM의 구조를 설명할 수 있다. 2. DRAM의 동작 원리를 설명할 수 있다.
교육대상 반도체 제조 공정 관련 직무 종사자
수료기준
수료기준
평가기준 총점
반영비율 100점
이수(과락)기준 60점
✔ 수료기준은 진도율 80%이상, 총 환산 점수 60점 이상입니다
강의목차
차시 강의명
1차시 Memory introduction
2차시 DRAM Market & fabrication process
3차시 Basic concept(resistance/voltage)
4차시 Basic concept(MOS capacitor/transistor)
5차시 Basic fabrication process
6차시 CMOS process flow
7차시 DRAM cell
8차시 DRAM frontend process flow
9차시 DRAM backend process flow
10차시 DRAM 3D cell/Test
11차시 DRAM Package/component
12차시 DRAM core/Sense Amp.
13차시 DRAM refresh & timing
14차시 DRAM history & DDR
15차시 6F2 and BL structure
16차시 LPDDR/GDDR/HBM