| 과정소개 | DRAM의 구조와 동작 원리를 알아보는 과정 |
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| 학습목표 | 1. DRAM의 구조를 설명할 수 있다. 2. DRAM의 동작 원리를 설명할 수 있다. | ||||||
| 교육대상 | 반도체 제조 공정 관련 직무 종사자 | ||||||
| 수료기준 |
✔ 수료기준은 진도율 80%이상, 총 환산 점수 60점 이상입니다
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| 차시 | 강의명 |
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| 1차시 | Memory introduction |
| 2차시 | DRAM Market & fabrication process |
| 3차시 | Basic concept(resistance/voltage) |
| 4차시 | Basic concept(MOS capacitor/transistor) |
| 5차시 | Basic fabrication process |
| 6차시 | CMOS process flow |
| 7차시 | DRAM cell |
| 8차시 | DRAM frontend process flow |
| 9차시 | DRAM backend process flow |
| 10차시 | DRAM 3D cell/Test |
| 11차시 | DRAM Package/component |
| 12차시 | DRAM core/Sense Amp. |
| 13차시 | DRAM refresh & timing |
| 14차시 | DRAM history & DDR |
| 15차시 | 6F2 and BL structure |
| 16차시 | LPDDR/GDDR/HBM |